EPC2019
Active - GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Kuvaus:
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC2019 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
8.5A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
288 pF @ 100 V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Die
