EPC2065
Active - GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Kuvaus:
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC2065 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
80 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
60A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.2 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1449 pF @ 40 V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Die
