EPC2069
Active - GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Kuvaus:
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
EPC2069 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
-
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
-
Rds päällä (max) @ id, vgs
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
-
Toimittajan laitepaketti
-
