EPC2108
Active - GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Kuvaus:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2108 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-ominaisuus
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
60V, 100V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.7A, 500mA
Rds päällä (max) @ id, vgs
190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
9-BGA (1.35x1.35)
