EPC2212
Active - GANFET N-CH 100V 18A DIE
Kuvaus:
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC2212 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
407 pF @ 50 V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Die
