EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Kuvaus:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
65 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.064 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
10 pF @ 32.5 V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Die
