EPC8002
Active - GANFET N-CH 65V 2A DIE
Kuvaus:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC8002 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
65 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
21 pF @ 32.5 V
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
Die
