IRFAC30
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Kuvaus:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAC30 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
630 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
75W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-204AA (TO-3)
Paketti / Kotelo
TO-204AA, TO-3
