IRFAE20
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Kuvaus:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAE20 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.8A
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
-
Rds päällä (max) @ id, vgs
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
-
Tehon häviö (enintään)
50W
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-204AA (TO-3)
Paketti / Kotelo
TO-204AA, TO-3
