HIP6601ACB-T
Active - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Kuvaus:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6601ACB-T Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Ohjattu konfigurointi
Half-Bridge
Kanavan tyyppi
Synchronous
Portin tyyppi
N-Channel MOSFET
Jännite - Syöttö
10.8V ~ 13.2V
Logiikkajännite - VIL, VIH
-
Virta - huipputeho (lähde, nielu)
730mA
Syötteen tyyppi
Non-Inverting
Korkea sivujännite - Max (Bootstrap)
-
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
20ns, 20ns
Käyttölämpötila
0 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
