ISL6609ACBZ
Active - AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 4A
Kuvaus:
AND GATE BASED MOSFET DRIVER, 4A
ISL6609ACBZ Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Ohjattu konfigurointi
Half-Bridge
Kanavan tyyppi
Synchronous
Portin tyyppi
N-Channel MOSFET
Jännite - Syöttö
4.5V ~ 5.5V
Logiikkajännite - VIL, VIH
1V, 2V
Virta - huipputeho (lähde, nielu)
-, 4A
Syötteen tyyppi
Non-Inverting
Korkea sivujännite - Max (Bootstrap)
36 V
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
8ns, 8ns
Käyttölämpötila
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
