ISL89160FBEBZ
Obsolete - AND GATE BASED MOSFET DRIVER
Kuvaus:
AND GATE BASED MOSFET DRIVER
ISL89160FBEBZ Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Ohjattu konfigurointi
Low-Side
Kanavan tyyppi
Independent
Portin tyyppi
N-Channel MOSFET
Jännite - Syöttö
4.5V ~ 16V
Logiikkajännite - VIL, VIH
1.85V, 3.15V
Virta - huipputeho (lähde, nielu)
6A, 6A
Syötteen tyyppi
Non-Inverting
Korkea sivujännite - Max (Bootstrap)
-
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
20ns, 20ns
Käyttölämpötila
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC-EP
