1N3595US
Active - DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
1N3595US Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
-
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 200 mA
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
3 μs
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
1 nA @ 125 V
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
SQ-MELF, B
Toimittajan laitepaketti
B, SQ-MELF
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 150 ℃
