1N412B
Active - DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA
1N412B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
100A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 200 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
50 μA @ 100 V
Paketti / Kotelo
DO-205AA, DO-8, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-205AA (DO-8)
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 200 ℃
