1N4948US
Active - DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5C
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5C
1N4948US Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.3 V @ 1 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
500 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
1 μA @ 1000 V
Kapasitanssi @ Vr, F
15pF @ 12V, 1MHz
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
SQ-MELF, C
Toimittajan laitepaketti
D-5C
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃
