1N5417
Active - DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
1N5417 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.5 V @ 9 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
150 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
1 μA @ 200 V
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
B, Axial
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
