1N5809
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1N5809 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
875 mV @ 4 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
30 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5 μA @ 100 V
Kapasitanssi @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
B, Axial
Toimittajan laitepaketti
-
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
