1N5812
Active - DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
50 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
20A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
950 mV @ 20 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
15 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 50 V
Kapasitanssi @ Vr, F
300pF @ 10V, 1MHz
Paketti / Kotelo
DO-203AA, DO-4, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-203AA
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
