2N3500L
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Kuvaus:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3500L Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
300 mA
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
150 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
400mV @ 15mA, 150mA
virta - kollektorin katkaisu (max)
10μA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Käyttölämpötila
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-5AA
