2N3506A
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Kuvaus:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3506A Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
40 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
virta - kollektorin katkaisu (max)
1μA
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Käyttölämpötila
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-39
