Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen  /  Microchip Technology 2N3867P

2N3867P

Active Icon Active - POWER BJT
2N3867P
2N3867P
Microchip Technology
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N3867P Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Sarja
-
Pakkaaminen
Bulk
Tuotteen Tila
Active
Transistorin tyyppi
PNP
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
3 A
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
40 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
virta - kollektorin katkaisu (max)
1μA
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Teho - Max
1 W
Taajuus - Siirtymä
-
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 200 ℃
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-5AA

2N3867P Varasto: 23440

Historia Hinta
$21.51000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

2N3867P Liittyvät osat

2N3055
2N3906RLRMG
2N3019A
2N3421 PBFREE
2N3053
2N3019
2N3019
2N3019
2N3053 PBFREE
2N3905TA
2N3055
2N3055
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *