2N4930
Active - NPN SILICON TRANSISTOR
Kuvaus:
NPN SILICON TRANSISTOR
2N4930 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
200 mA
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
200 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.2V @ 3mA, 30mA
virta - kollektorin katkaisu (max)
250nA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 30mA, 10V
Käyttölämpötila
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-39
