Uutuudet

Laadunvalvonta

Arvion

2N5599

Active - POWER BJT

Valmistaja:

Microchip Technology

Mfr osa #

2N5599

Luokka:

Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen

Taulukkonäkymän:

2N5599

Kuvaus:

POWER BJT

2N5599 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus

Määritteen Arvo

Luokka

Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen

Valmistaja

Microchip Technology

Sarja

-

Pakkaaminen

Bulk

Tuotteen Tila

Active

Transistorin tyyppi

PNP

Virta - Kollektori (Ic) (enintään)

2 A

Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)

80 V

Vce-saturaatio (max) @ ib, ic

850mV @ 200μA, 1mA

virta - kollektorin katkaisu (max)

-

DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Teho - Max

20 W

Taajuus - Siirtymä

-

Käyttölämpötila

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Paketti / Kotelo

TO-213AA, TO-66-2

Toimittajan laitepaketti

TO-66 (TO-213AA)

2N5599 Varasto: 26720

Historia Hinta

$41.38500

5.0 / 5.0

2N5599

2N5599 Spesifikaatio

2N5599 Varasto: 26720

2N5599 Liittyvät osat