2N6213

Active - PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Kuvaus:
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N6213 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
2 A
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
350 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
2V @ 125mA, 1A
virta - kollektorin katkaisu (max)
5mA
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 200 ℃
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-213AA, TO-66-2
Toimittajan laitepaketti
TO-66 (TO-213AA)