Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu
/
Erilliset Puolijohteet
/
Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen
/ Microchip Technology 2N6512
2N6512
Active - POWER BJT
Valmistaja:
Microchip Technology
Mfr osa #
2N6512
Luokka:
Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen
Taulukkonäkymän:
2N6512
Kuvaus:
POWER BJT
2N6512 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Luokka
Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen
Valmistaja
Microchip Technology
Sarja
-
Pakkaaminen
Bulk
Tuotteen Tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
7 A
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
300 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.5V @ 800mA, 4A
virta - kollektorin katkaisu (max)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 4A, 3V
Teho - Max
120 W
Taajuus - Siirtymä
3MHz
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-204AA, TO-3
Toimittajan laitepaketti
TO-204AD (TO-3)
2N6512 Varasto: 34280
Historia Hinta
$75.69000
5.0 / 5.0
2N6512 Liittyvät osat
2N6609
NTE Electronics
2N6773
Harris Corporation
2N6609
Microchip Technology
2N6609
onsemi
2N697
Microchip Technology
2N6678
Microchip Technology
2N6674
Microchip Technology
2N6677
Microchip Technology
2N697
onsemi
2N6667
NTE Electronics
2N6036
NTE Electronics
2N6649
Microchip Technology
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *