Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen  /  Microchip Technology 2N6512

2N6512

Active Icon Active - POWER BJT
2N6512
2N6512
Microchip Technology
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6512 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Sarja
-
Pakkaaminen
Bulk
Tuotteen Tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
7 A
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
300 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.5V @ 800mA, 4A
virta - kollektorin katkaisu (max)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 4A, 3V
Teho - Max
120 W
Taajuus - Siirtymä
3MHz
Käyttölämpötila
-
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-204AA, TO-3
Toimittajan laitepaketti
TO-204AD (TO-3)

2N6512 Varasto: 34280

Historia Hinta
$75.69000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

2N6512 Liittyvät osat

2N6609
2N6773
2N6609
2N6609
2N697
2N6678
2N6674
2N6677
2N697
2N6667
2N6036
2N6649
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *