Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen  /  Microchip Technology 2N657S

2N657S

Active Icon Active - POWER BJT
2N657S
2N657S
Microchip Technology
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N657S Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Sarja
-
Pakkaaminen
Bulk
Tuotteen Tila
Active
Transistorin tyyppi
NPN
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
-
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
40 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.5V @ 15mA, 150mA
virta - kollektorin katkaisu (max)
10μA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Teho - Max
600 mW
Taajuus - Siirtymä
-
Käyttölämpötila
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-5AA

2N657S Varasto: 3120

Historia Hinta
$38.83500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

2N657S Liittyvät osat

2N6609
2N6773
2N6609
2N6609
2N697
2N6678
2N6674
2N6677
2N697
2N6667
2N6036
2N6649
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *