Uutuudet

Laadunvalvonta

Arvion

2N7370

Active - POWER BJT

Valmistaja:

Microchip Technology

Mfr osa #

2N7370

Luokka:

Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen

Taulukkonäkymän:

2N7370

Kuvaus:

POWER BJT

2N7370 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus

Määritteen Arvo

Luokka

Transistorit - Bipolaarinen (BJT) - Yksittäinen

Valmistaja

Microchip Technology

Sarja

-

Pakkaaminen

Bulk

Tuotteen Tila

Active

Transistorin tyyppi

NPN - Darlington

Virta - Kollektori (Ic) (enintään)

12 A

Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)

100 V

Vce-saturaatio (max) @ ib, ic

3V @ 120mA, 12A

virta - kollektorin katkaisu (max)

1mA

DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

Teho - Max

100 W

Taajuus - Siirtymä

-

Käyttölämpötila

-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

Asennustyyppi

Through Hole

Paketti / Kotelo

TO-254-3, TO-254AA

Toimittajan laitepaketti

TO-254AA

2N7370 Varasto: 30180

Historia Hinta

$312.40500

5.0 / 5.0

2N7370

2N7370 Spesifikaatio

2N7370 Varasto: 30180

2N7370 Liittyvät osat