APT22F80B
Active - MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 23A TO247
APT22F80B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
4595 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
625W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 [B]
Paketti / Kotelo
TO-247-3
