APT9M100B
Active - MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9M100B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2605 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
335W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247 [B]
Paketti / Kotelo
TO-247-3
