APT9M100S
Active - MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
APT9M100S Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2605 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
335W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D3PAK
Paketti / Kotelo
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
