NTE117
Active - DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 750MA DO26
NTE117 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
750mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 500 mA
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
400 μA @ 600 V
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AE, DO-26, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-26
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
