NTE170
Active - R-SI BRIDGE 1000V 2A
Kuvaus:
R-SI BRIDGE 1000V 2A
NTE170 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Single Phase
Jännite - Peak Reverse (Max)
1 kV
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
2 A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.1 V @ 2 A
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 1000 V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
4-SIP
