NTE2018
Active - IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Kuvaus:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
NTE2018 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Transistorin tyyppi
8 NPN Darlington
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
600mA
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
50V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
1.6V @ 350mA, 500A
virta - kollektorin katkaisu (max)
-
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Käyttölämpötila
-20 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Toimittajan laitepaketti
18-PDIP
