NTE2371
Active - MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
Kuvaus:
MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
NTE2371 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
200mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
150W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Paketti / Kotelo
TO-220-3
