NTE2935
Active - MOSFET N-CH 500V 6.2A TO3PML
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 6.2A TO3PML
NTE2935 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
850mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1550 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
85W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3PML
Paketti / Kotelo
TO-3P-3 Full Pack
