NTE2960
Active - MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Kuvaus:
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE2960 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
900V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
7A
Rds päällä (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1380pF @ 25V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220 Full Pack
