NTE2973
Active - MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
Kuvaus:
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
NTE2973 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
850mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
275W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Paketti / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
