NTE3310
Active - IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
Kuvaus:
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3310 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
600 V
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
415 A
Virta - Kollektorin pulssi (Icm)
30 A
Vce(päällä) (enintään) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 15A
Td (päälle/pois) @ 25°C
400ns/500ns
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
