NTE464
Active - MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
Kuvaus:
MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
NTE464 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
25 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
10A
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
5000 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
800mW (Tc)
Käyttölämpötila
175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-72
