1N4149
Active - DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
1N4149 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 10 mA
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
4 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
25 nA @ 20 V
Kapasitanssi @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-35
Käyttölämpötila - risteys
175 ℃ (Max)
