1N916B
Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N916B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 20 mA
Nopeus
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr)
4 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5 μA @ 75 V
Kapasitanssi @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-35
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃
