2SD734F
Obsolete - NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Kuvaus:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SD734F Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
700 mA
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
20 V
Vce-saturaatio (max) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 500mA
virta - kollektorin katkaisu (max)
1μA (ICBO)
DC-virran vahvistus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Taajuus - Siirtymä
250MHz
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Toimittajan laitepaketti
3-NP
,TO-226_straightlead.jpg)
