FCD4N60TF
Obsolete - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FCD4N60TF Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
540 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
50W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
