FDA59N30
Active - MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Kuvaus:
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
FDA59N30 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
300 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
59A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
56mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
4670 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
500W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3PN
Paketti / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
