FDB3860
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
FDB3860 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
37mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1740 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK (TO-263)
Paketti / Kotelo
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
