FDB8896
Obsolete - MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FDB8896 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 93A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2525 pF @ 15 V
Tehon häviö (enintään)
80W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK (TO-263)
Paketti / Kotelo
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
