FDC606P
Active - MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
FDC606P Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
12 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
26mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1699 pF @ 6 V
Tehon häviö (enintään)
1.6W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SuperSOT?-6
Paketti / Kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
