FDD5680
Active - MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
FDD5680 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
8.5A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1835 pF @ 30 V
Tehon häviö (enintään)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
