FDD8870
Active - MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
FDD8870 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 160A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4.5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
5160 pF @ 15 V
Tehon häviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
TO-252AA
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
