FDG327N
Active - N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
Kuvaus:
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 20
FDG327N Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
1.8V, 4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
423 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
420mW (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SC-88 (SC-70-6)
Paketti / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
